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簡談三極管和MOS管在開關電源中的應用
在做開關電源電路設計中,簡談三極管和MOS管在開關電源中的應用
三極管的工作原理:三極管是電流放大器件,有三個極,分別叫做集電極C,基極B,發(fā)射極E.分成NPN和PNP兩種。我們僅以NPN三極管的共發(fā)射極放大電路為例來說明一下三極管放大電路的基本原理。
我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向。三極管的放大作用就是:集電極電流受基極電流的操控(假設電源能夠提供給集電極足夠大的電流的話),并且基極電流很小的變換,會引起集電極電流很大的變換,且變換滿足一定的比例關系:集電極電流的變換量是基極電流變換量的β倍,即電流變換被放大了β倍,所以我們把β叫做三極管的放大倍數(β一般遠大于1,例如幾十,幾百)。如果我們將一個變換的小信號加到基極跟發(fā)射極之間,這就會引起基極電流Ib的變換,Ib的變換被放大后,導致了Ic很大的變換。三極管是電流操控型器件。
Mos管 是金屬(metal)-氧化物(oxid)-半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
當MOS電容的柵極(Gate)相對于襯底(BACKGATE)正偏置時發(fā)生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了,有更多的電子從襯底被拉了上來。同時,空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高,會出現表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子,硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉被稱為inversion,反轉的硅層叫做溝道(channel)。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高,越來越多的電子在表面積累,channel變成了強反轉。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt.當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時,不會形成channel.所以MOS是電壓操控型器件。
(1)場效應管是電壓操控元件,而晶體管是電流操控元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。
(2)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。
(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。
(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。
(5)場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點,因而也被廣泛應用于開關電源及各種電子設備中。尤其用場效管做開關電源的功率驅動,可以獲得一般晶體管很難達到的性能。
(6)場效應管分成結型和絕緣柵型兩大類,其操控原理都是一樣的。
三極管BJT與場效應管FET的區(qū)別很多,簡單列出幾條:
1.三極管用電流操控,MOS管屬于電壓操控,BJT放大電流,FET將柵極電壓轉換為漏極電流。BJT**參數是電流放大倍數β值,FET**參數是跨導gm;
2.驅動能力:MOS管常用來電源開關管,以及大電流地方開關電路;
3.成本問題:三極管便宜, MOS管 貴;
4.BJT線性較差,FET線性較好;
5.BJT噪聲較大,FET噪聲較小;
6.BJT極性只有NPN和PNP兩類,FET極性有N溝道、P溝道,還有耗盡型和增強型,所以FET選型和使用都比較復雜;
7.功耗問題:BJT輸入電阻小,消耗電流大,FET輸入電阻很大,幾乎不消耗電流;
實際上就是三極管比較便宜,用起來方便,常用在數字電路開關操控;MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極操控電流比較敏感的地方。
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