MOSFET場效應管的基本知識

1.G柵極 D漏極 S源極這圖裏面的MOS管是N溝道的，工作原理:只要G上的電壓比S上的電壓大5-6V，MOS管就開始導通，就有電流從S流向D.2.G接高低電平（確切說是驅動電壓），D接電源（高電位），S接下面的負載或低電位。3.可以控制的開關電路*大電壓是多少取決於MOSFET的*高耐壓值，耐壓值有多大，就能控制多大電壓的電路。

2.功率MOSFET的工作原理截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。導電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區中的空穴推開，而將P區中的少子—電子吸引到柵極下面的P區表面當UGS大於UT（開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下P區表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。

尊敬的客戶：

本公司有穩壓芯片、電壓檢測IC、MOS管等產品，您可以通過網頁撥打本公司的服務專線了解更多產品的詳細信息，至善至美的服務是我們永無止境的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產品，我們將竭誠為您服務！

上一篇： MOS管正確選擇的步驟
下一篇：電壓檢測芯片的電壓監測

聯系電話：0755-83221606 公司地址：深圳市龍崗區萬科紅立方大廈1612室

服務電話：13600198100

工作時間
早9:00 - 晚18:00
周六日休息

精品久久久久一区二区三区-精品久久久久中文字幕-精品久久久无-精品久久久无码-精品久久久一区二区三区-精品久久久中文字幕人妻

MOSFET場效應管的基本知識