MOS管參數(shù)解釋

在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，*大電壓等，*大電流等因素。
　　MOSFET管是FET的一種，可被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應(yīng)用的為增強(qiáng)型的NMOS管和增強(qiáng)型的PMOS管，所以通常提到的就是這兩種。這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS.
　　在 MOS管內(nèi)部，漏極和源極之間會(huì)寄生一個(gè)二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個(gè)二極管很重要，并且只在單個(gè)的MOS管中存在此二極管，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。
　　MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒有辦法避免。
　　MOS管導(dǎo)通特性
　　導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。
　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到一定電壓（如4V或10V, 其他電壓，看手冊）就可了。
　　PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（**驅(qū)動(dòng)）。但是，雖然PMOS可很方便地用作**驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在**驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS.
　　MOS開關(guān)管損失
　　不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時(shí)，兩端還會(huì)有電壓，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾毫歐，幾十毫歐左右
　　MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過程，流過的電流有一個(gè)上升的過程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關(guān)時(shí)間，可減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失；降低開關(guān)頻率，可減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可減小開關(guān)損失。
　　 MOS管驅(qū)動(dòng)
　　MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可了。但是，我們還需要速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可看到，在GS,GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個(gè)電流，因?yàn)閷﹄娙莩潆娝查g可把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)**要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
　　普遍用于**驅(qū)動(dòng)的NMOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而**驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大（4V或10V其他電壓，看手冊）。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。

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